Atieh Farokhnejad ha elaborat la tesi doctoral titulada "Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs" (menció internacional).

Els directors de la tesi són els professors Benjamin lñiguez,François Lime i Alexander Kloes.i s'ha fet en el doctorat de Tecnologies per a Nanositemes, Bioenginyeria i Energia.

Les persones interessades en seguir l'acte públic de la defensa han d'escriure un correu a tesis@urv.cat.